第25期台灣DRAM的未來? DRAM專利技術大剖析! PRAT 2/3

IPAMA智管會/TSipo戰國策李文強Conway/所王維位發表

2009/04/16

由於美國專利局自2000年11月29日開始實施早期公開制度：凡在2000年11月29日之後提出申請之申請案，即適用早期公開制度，自該申請日或優先權日之十八個月將被公開。

美國早期公開制度的實施會造成專利趨勢的變化，所以以下的分析將以2000年11月29日為分界點。

1971~2000/11/28之間

DRAM主要發展之技術專利地圖

統計自USTPO，EPO，JP，WIPO公開、公告專利資料庫，專利筆數達15156筆(patent family 篩除後)！從上圖我們可以看到，在2000/11/28前主要發展技術的專利群組有：Etch Dielectric Oxide、 Trench Material Insulating、 Film Insulating Electrode、 Insulating Contact Drain、 Amplifier Sense Voltage、 Voltage Supply Reference、 Address Column Row。

1971~2000/11/28之間歷年專利申請數量統計表

從上圖可以看到1971~2000/11/28期間歷年專利申請數量，我們可依其曲線，大致將其分為三個區間，起步(1971~1989)、萌芽(1990~1993)、快速發展(1994~2000/11/28)，在快速發展期間我們可以看到，在短短6年間專利申請數量有著爆發性的成長！

1971~2000/11/28三區間專利布局之專利地圖

從這三張圖我們可以看到在起步(1971~1989)、萌芽(1990~1993)、快速發展(1994~2000/11/28)三區間專利布局的狀況。在起步、萌芽兩階段確實有部份技術正在逐漸興起，但在快速發展階段，則是很平均的散佈在整張專利地圖上，在此可以推知在DRAM產業內各技術是平穩地一齊發展！

1971~2000/11/28之間歷年專利IPC趨勢圖

從上面我們可以得知G11C 0007、G11C 0011比較偏向描述數位儲存方面的構件(元件)，而H01L 0021、H01L 0027則是較偏向半導體製程或裝置，接著我們來看下面這張IPC(3階)趨勢圖：

由上圖可得知，H01L此類別在1996~1998年間，其專利申請數量急速的上升，在此可以推得，1996~1998年間製程設備相關技術迅速蓬勃發展，導致專利申請數量增加！雖然G11C此類別也有增加，但其增幅的幅度並不比H01L高。而全球DRAM廠在新廠的廠房及設備投資上，從1995年破記錄的超額投資76.3億美元，較1994年成長33%，而超額投資的結果，即是出現供過於求，進而導致DRAM價格下滑(見下表)，在此期間技術仍不斷研發，在1999年第四季時透過國際大廠的聯合減產讓DRAM價格止跌回穩，而製程技術較先進的廠商也終於出現獲利。